陳星弼：“以科學服務人類，這就是我此生不倦的追求” 陳老師治學嚴謹，熱愛學生，講課循循善誘，幾十年過去了仍歷歷在目。在那些考研的時光裡，那個年過八旬還每日去實驗室的身影成為自己堅持下去的動力。先生桃李芬芳滿天下，祖國半導體的發展離不開您的努力，吾輩當自強。…… 12月4日晚，電子科大發布訃告：國際著名半導體器件物理學家、微電子學家，中國科學院院士，IEEE Life Fellow，九三學社社員，

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電子科技大學教授陳星弼先生，因病醫治無效，于2019年12月4日17時10分在成都逝世，享年89歲。隨後，網上跟帖無數，紛紛表達對陳星弼院士的緬懷和追思。 一位電子科大校友回憶說，在學校時，經常碰到陳星弼院士在散步，但從來不會主動與他打招呼，因為他說過，他習慣走路思考，不要打斷他。而現在，一邊散步一邊思考問題的陳星弼院士走了，他的名言卻始終激勵著後來人：能夠在短短的人生中，以科學服務人類，這就是我此生不倦的追求。 如他自己所言，陳星弼的一生，正是以科學服務人類的一生。他的超結發明專利打破了傳統硅極限，被國際學術界譽為高壓功率器件新的裡程碑。該發明專利成功轉讓並實現產業化，

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其延伸產品惠及人類社會生活的方方面面。 功率半導體是以功率處理為核心的半導體，與之對應的是更為大眾所熟知的以信息處理為核心的信息半導體。在手機、電腦等電子產品中，信息半導體是這些產品的大腦和神經，負責感知、運算、操縱等，

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實現電子產品的設計功能；而功率半導體則是這些產品的心髒和血脈，負責將電能以不同的電壓、電流、頻率等合適的參數傳輸給傳感器、攝像頭等用電終端。 現代電力電子技術的發展，使功率器件在多數情形下是用作一種開關，性能上一般要求耐高壓、導通時電流密度大、導通時器件上壓降低、開關速度高、驅動功率小。在20世紀80年代，傳統的功率器件的發展遇到了著名的硅極限瓶頸，功率器件的性能提升陷入困境。陳星弼的發明突破了這個瓶頸，

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使功率器件的性能得到全面突破性提高。 1998年，西門子公司用陳星弼發明的方法，制作成新的功率器件，在國際上引起轟動，被認為是近二十年來功率器件的一個新裡程碑。還有其他公司在那段時間都來和我聯系過，這些大公司機制先進、實力雄厚、條件充足，

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制造這種器件的能力遠高于我們。陳星弼說。 當時中國沒有實驗條件，但陳星弼非常清楚該發明的價值，于是他申請了中國專利，也申請了美國專利。他沒有將技術藏起來，而是盡快轉化、服務社會。如今，他的美國專利，

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已被國際專利引用超過550次，並授權給國際主流半導體公司，惠及全世界。 2008年，陳星弼發表的一篇論文指出，現在世界上70%以上的電能，都是經過半導體功率器件變換其形式而應用的，功率器件的年銷售額僅次于集成電路。陳星弼的發明專利成功轉讓並實現產業化後，截至目前，超結器件在全球的年市場銷售額超過10億美元。 因對我國和全世界功率半導體產業的突出貢獻，陳星弼于1999年當選為中國科學院院士，2015年5月獲得IEEE ISPSD大會頒發的最高榮譽國際功率半導體先驅獎，成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。2018年，他入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學家。 陳星弼對人類進步的貢獻，遠不止于此。他是我國功率半導體領域的領路人和集大成者，

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一生發表超過200篇學術論文，獲得中美等國專利授權40餘項。 陳星弼更是一名好老師，他在上講台前總是將教案熟悉到極致，所有理論體系、知識案例都在他的腦海裡形成一個嚴密的體系。走上講台，只需幾張卡片，課程內容就像水流一樣涓涓不息地淌出來。 直至耄耋之年，陳星弼依然堅持親自指導研究生、博士生，關心每一個學生的成長。他要求每一位學生都能背誦《蘭亭集序》《前出師表》和《岳陽樓記》，不僅學習古文經典，更要領會其中的家國情懷。在戰火中長大、1980年首次赴美參會時發現中國科技遠遠落後于人的陳星弼，不僅把自己的一生獻給了科學事業，也希望更多同學能投身科學事業：真正有獻身精神的人，才是科研發展的脊梁。 特別聲明：本文轉載僅僅是出于傳播信息的需要，並不意味著代表本網站觀點或證實其內容的真實性；如其他媒體、網站或個人從本網站轉載使用，須保留本網站注明的“來源”，並自負版權等法律責任；作者如果不希望被轉載或者聯系轉載稿費等事宜，請與我們接洽。我國科學家成功研制出世界最高磁場超導磁體 本報北京12月5日電 （記者吳月輝）日前，中國科學院電工研究所王秋良團隊成功研制出中心磁場高達32.35特斯拉（T）的全超導磁體。該磁體採用了自主研發的高溫內插磁體技術，打破了2017年12月由美國國家強磁場實驗室創造的32.0特斯拉超導磁體的世界紀錄，標志著我國高場內插磁體技術已經達到世界領先水平。 此前低溫超導磁體產生的磁場強度上限為23.0特斯拉左右。此次，王秋良團隊設計並建造了全新的超導線圈和支撐結構，提高了線圈的整體工程電流密度和局部安全裕度，並採用軸向彈性支撐結構和綁扎裝置，

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提高了超導接頭抵抗局部拉應力集中的能力，

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使極高場內插磁體的電磁安全裕度和應力安全裕度都得以大幅提高。經測試，此次建造的極高磁場超導磁體在液氦浸泡條件下產生了32.35特斯拉的中心磁場，並且實現了在32.35特斯拉全超導磁體的穩定運行，其關鍵技術參數均已滿足綜合極端條件實驗裝置國家重大科技基礎實施項目對極端強磁場的技術要求。 據悉，此項研究成果將服務于世界一流水平的綜合極端條件實驗裝置用戶，為我國物質科學探索新物態、新現象、新規律等基礎研究和應用研究提供最先進的強磁場實驗條件。 特別聲明：本文轉載僅僅是出于傳播信息的需要，並不意味著代表本網站觀點或證實其內容的真實性；如其他媒體、網站或個人從本網站轉載使用，須保留本網站注明的“來源”，並自負版權等法律責任；作者如果不希望被轉載或者聯系轉載稿費等事宜，請與我們接洽。，